Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 6/2018 vyšlo tiskem 6. 6. 2018. V elektronické verzi na webu od 23. 6. 2018. 

Téma: Točivé elektrické stroje, pohony a výkonová elektronika; Elektromobilita

Hlavní článek
Energetická platforma pro systém Vehicle to Grid/Home
Smart Cities (2. část – 2. díl)

Číslo 3/2018 vyšlo tiskem 15. 6. 2018. V elektronické verzi na webu 16. 7. 2018.

Příslušenství osvětlovacích soustav
Večer s Foxtrotem na Českém nebi

Veřejné osvětlení
Nadčasové svítidlo pro veřejné osvětlení – Streetlight 11
Ovládání veřejného osvětlení

Aktuality

Nejlepší studenti 2018 nalezeni Do finálového kola 8. ročníku soutěže Nejlepší student, které se konalo 20. června 2018 v…

Výběrové řízení na dodavatele pro krytí ztrát pokračuje pátým aukčním kolem Páté aukční kolo výběrového řízení na dodavatele elektřiny pro krytí ztrát v přenosové…

Sympozium o fyzice plazmatu – trendy jaderné fúze i aplikace netermálního plazmatu v medicíně Fakulta elektrotechnická Českého vysokého učení technického v Praze pořádá ve spolupráci…

Novinky z oblasti elektrotechniky, energetiky a elektroniky predstavil veľtrh ELO SYS 2018 24. ročník medzinárodného veľtrhu ELO SYS sa konal v termíne 22. až 25. mája 2018 na…

Více aktualit

Vědci vyvinuli nejrychlejší a nejohebnější křemíkový fototranzistor na světě

06.11.2015 | UW-Madison | news.wisc.edu

Elektroinženýři z University of Wisconsin-Madison se nechali inspirovat očima savců a vytvořili nejrychlejší a nejcitlivější ohebný křemíkový fototranzistor na světě.

Tento inovativní fototranzistor může vylepšit výkon nespočetného množství dnes běžně používaných produktů - od digitálních kamer, brýlí s nočním viděním a detektorů kouře po sledovací systémy a satelity - které jsou závislé na elektronických světelných čidlech. Například integrace fototranzistoru do optické čočky moderní videokamery může pomoci snížit její velikost a vylepšit rychlost a kvalitu videa či fotografií.

Nejrychlejší silikonový fototranzistor na světě

Tento jedinečný fototranzistor, který dalece předčí všechny předchozí fototranzistory svou citlivostí a odezvou, vyvinuli profesor elektroinženýrství a výpočetní techniky Zhenqiang Ma a jeho kolega, vědec Jung-Hun Seo.

Jedním z důležitých aspektů úspěchu tohoto nového fototranzistoru je inovativní metoda výroby, při které se v závěrečném kroku fototranzistor převrátí na plastovou podložku a reflexní kovová vrstva se nachází naspodu. „Při použití naší metody, na rozdíl od jiných fotodetektorů, dochází k mnohem efektivnějšímu pohlcování světla v ultra tenké křemíkové vrstvě, protože světlo není blokováno žádnou kovovou vrstvou nebo jiným materiálem,“ uvedl Ma.

Celý článek na UW-Madison

Image Credit: UW-Madison

-jk-