Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 12/2016 vyšlo tiskem 7. 12. 2016. V elektronické verzi na webu od 6. 1. 2017. 

Téma: Měření, měřicí přístroje a měřicí technika; Zkušebnictví a diagnostika

Hlavní článek
Lithiové trakční akumulátory pro elektromobilitu (2. část – dokončení)

Číslo 6/2016 vyšlo tiskem 5. 12. 2016. V elektronické verzi na webu od 5. 1. 2017.

Osvětlení interiérů
Seminář Interiéry 2016 – páté výročí
Součinnost bytového interiéru a osvětlení 

Normy, předpisy a doporučení
Nové normy pro osvětlení pozemních komunikací

Aktuality

Svítící fasáda FEL ČVUT nabídne veřejnosti interaktivní program s názvem Creative Colours of FEL Dne 13. prosince v 16.30 hodin se v pražských Dejvicích veřejnosti představí interaktivní…

Fakulta elektrotechnická je na špici excelentního výzkumu na ČVUT Expertní panely Rady vlády pro výzkum, vývoj, inovace (RVVI) vybraly ve II. pilíři…

Švýcaři v referendu odmítli uzavřít jaderné elektrárny dříve V referendu hlasovalo 45 procent obyvatel, z toho 54,2 procent voličů řeklo návrhu na…

Fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze pořádá 25. 11. 2016 den otevřených dveří Fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze pořádá 25. listopadu od 8.30 hodin Den otevřených…

Více aktualit

Vědci vyvinuli nejrychlejší a nejohebnější křemíkový fototranzistor na světě

06.11.2015 | UW-Madison | news.wisc.edu

Elektroinženýři z University of Wisconsin-Madison se nechali inspirovat očima savců a vytvořili nejrychlejší a nejcitlivější ohebný křemíkový fototranzistor na světě.

Tento inovativní fototranzistor může vylepšit výkon nespočetného množství dnes běžně používaných produktů - od digitálních kamer, brýlí s nočním viděním a detektorů kouře po sledovací systémy a satelity - které jsou závislé na elektronických světelných čidlech. Například integrace fototranzistoru do optické čočky moderní videokamery může pomoci snížit její velikost a vylepšit rychlost a kvalitu videa či fotografií.

Nejrychlejší silikonový fototranzistor na světě

Tento jedinečný fototranzistor, který dalece předčí všechny předchozí fototranzistory svou citlivostí a odezvou, vyvinuli profesor elektroinženýrství a výpočetní techniky Zhenqiang Ma a jeho kolega, vědec Jung-Hun Seo.

Jedním z důležitých aspektů úspěchu tohoto nového fototranzistoru je inovativní metoda výroby, při které se v závěrečném kroku fototranzistor převrátí na plastovou podložku a reflexní kovová vrstva se nachází naspodu. „Při použití naší metody, na rozdíl od jiných fotodetektorů, dochází k mnohem efektivnějšímu pohlcování světla v ultra tenké křemíkové vrstvě, protože světlo není blokováno žádnou kovovou vrstvou nebo jiným materiálem,“ uvedl Ma.

Celý článek na UW-Madison

Image Credit: UW-Madison

-jk-