Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 5/2017 vyšlo tiskem 11. 5. 2017. V elektronické verzi na webu od 2. 6. 2017. 

Zdůrazněné téma: Ochrana před bleskem a přepětím;
23. ELO SYS 2017

Hlavní článek
Vibrace točivých strojů s magnetickými ložisky

Číslo 2/2017 vyšlo tiskem 17. 3. 2017. V elektronické verzi na webu bude ihned.

Veletrhy a výstavy
Inspirativní osvětlení ze zahraničních veletrhů 

Příslušenství osvětlovacích soustav
Na osvětlení provozu lze šetřit s minimem investic
Maxos fusion – nový rychlomontážní systém Philips
Inteligentní řešení DALISYS® pro řízení osvětlení

Aktuality

Konference Internet a Technologie 17 Sdružení CZ.NIC, správce české národní domény, si Vás dovoluje pozvat na již tradiční…

Projekt studentů FEL ČVUT v Praze míří na celosvětové finále Microsoft Imagine Studentský startup XGLU, zabývající se vývojem bezbateriového glukometru, vybojoval…

ČEZ zřizuje novou divizi jaderná energetika. Povede ji Bohdan Zronek Vedení Skupiny ČEZ rozhodlo o vzniku nové divize jaderná energetika s platností od 1.…

Příští týden začne v Praze strojírenský veletrh FOR INDUSTRY Letos na něm předvedou jedinečné novinky české společnosti. Spojení designu a moderní…

Více aktualit

Vědci vyvinuli nejrychlejší a nejohebnější křemíkový fototranzistor na světě

06.11.2015 | UW-Madison | news.wisc.edu

Elektroinženýři z University of Wisconsin-Madison se nechali inspirovat očima savců a vytvořili nejrychlejší a nejcitlivější ohebný křemíkový fototranzistor na světě.

Tento inovativní fototranzistor může vylepšit výkon nespočetného množství dnes běžně používaných produktů - od digitálních kamer, brýlí s nočním viděním a detektorů kouře po sledovací systémy a satelity - které jsou závislé na elektronických světelných čidlech. Například integrace fototranzistoru do optické čočky moderní videokamery může pomoci snížit její velikost a vylepšit rychlost a kvalitu videa či fotografií.

Nejrychlejší silikonový fototranzistor na světě

Tento jedinečný fototranzistor, který dalece předčí všechny předchozí fototranzistory svou citlivostí a odezvou, vyvinuli profesor elektroinženýrství a výpočetní techniky Zhenqiang Ma a jeho kolega, vědec Jung-Hun Seo.

Jedním z důležitých aspektů úspěchu tohoto nového fototranzistoru je inovativní metoda výroby, při které se v závěrečném kroku fototranzistor převrátí na plastovou podložku a reflexní kovová vrstva se nachází naspodu. „Při použití naší metody, na rozdíl od jiných fotodetektorů, dochází k mnohem efektivnějšímu pohlcování světla v ultra tenké křemíkové vrstvě, protože světlo není blokováno žádnou kovovou vrstvou nebo jiným materiálem,“ uvedl Ma.

Celý článek na UW-Madison

Image Credit: UW-Madison

-jk-