Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 2/2019 vyšlo tiskem 13. 2. 2019. V elektronické verzi na webu 11. 3. 2019. 

Téma: Elektrické přístroje – spínací, jisticí, ochranné, signalizační a speciální

Hlavní článek
Perspektivní topologie výkonových měničů
Smart Cities (7. část)

Číslo 1/2019 vyšlo tiskem 4. 2. 2019. V elektronické verzi na webu 5. 3. 2019.

Veletrhy a výstavy
Pozvánka na výstavu SVĚTLO V ARCHITEKTUŘE
Prolight + Sound 2019: pojďte s dobou
Světlo na veletrhu For Arch 2018

Veřejné osvětlení
Světla měst a obcí 2018 – setkání u kulatého stolu

Aktuality

50. konferencia elektrotechnikov Slovenska SEZ-KES Vás pozýva na jubilejnú 50. konferenciu elektrotechnikov Slovenska, ktorá sa…

Do přípravy Národní strategie umělé inteligence se zapojí široká veřejnost Ministerstvo průmyslu a obchodu spustilo konzultaci s odbornou veřejností, firmami i…

Ještě větší FOR PASIV a FOR WOOD 2019 Sedmý veletrh nízkoenergetických, pasivních a nulových staveb FOR PASIV, který proběhne v…

Novým děkanem FEL ČVUT v Praze byl zvolen prof. Petr Páta V pátek 25. ledna se na Fakultě elektrotechnické ČVUT v Praze konalo 30. řádné zasedání…

Více aktualit

Vědci vyvinuli nejrychlejší a nejohebnější křemíkový fototranzistor na světě

06.11.2015 | UW-Madison | news.wisc.edu

Elektroinženýři z University of Wisconsin-Madison se nechali inspirovat očima savců a vytvořili nejrychlejší a nejcitlivější ohebný křemíkový fototranzistor na světě.

Tento inovativní fototranzistor může vylepšit výkon nespočetného množství dnes běžně používaných produktů - od digitálních kamer, brýlí s nočním viděním a detektorů kouře po sledovací systémy a satelity - které jsou závislé na elektronických světelných čidlech. Například integrace fototranzistoru do optické čočky moderní videokamery může pomoci snížit její velikost a vylepšit rychlost a kvalitu videa či fotografií.

Nejrychlejší silikonový fototranzistor na světě

Tento jedinečný fototranzistor, který dalece předčí všechny předchozí fototranzistory svou citlivostí a odezvou, vyvinuli profesor elektroinženýrství a výpočetní techniky Zhenqiang Ma a jeho kolega, vědec Jung-Hun Seo.

Jedním z důležitých aspektů úspěchu tohoto nového fototranzistoru je inovativní metoda výroby, při které se v závěrečném kroku fototranzistor převrátí na plastovou podložku a reflexní kovová vrstva se nachází naspodu. „Při použití naší metody, na rozdíl od jiných fotodetektorů, dochází k mnohem efektivnějšímu pohlcování světla v ultra tenké křemíkové vrstvě, protože světlo není blokováno žádnou kovovou vrstvou nebo jiným materiálem,“ uvedl Ma.

Celý článek na UW-Madison

Image Credit: UW-Madison

-jk-