Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 12/2019 vyšlo tiskem 4. 12. 2019. V elektronické verzi na webu 4. 1. 2020. 

Téma: Měřicí přístroje, metody měření a dálkové měření

Hlavní článek
Inovativní postupy při diagnostice částečných výbojů při AC a DC napětí

Číslo 5/2019 vyšlo tiskem 16. 9. 2019. V elektronické verzi na webu ihned.

Činnost odborných organizací
Mezinárodní konference SVĚTLO 2019 – 6. oznámení
Zúčastnili sme sa kongresu Medzinárodnej komisie pre osvetlenie CIE 2019 vo Washingtone
Odborný seminár SLOVALUX 2019

Veletrhy a výstavy
Inspirujte se boho stylem i designem Dálného východu na podzimním veletrhu FOR INTERIOR

Aktuality

Cenu ABB za výzkum získal projekt bezbateriového senzoru Grant ve výši 300 000 amerických dolarů získal Ambuj Varshney, který jej využije na…

Rating ČEPS na úrovni Aa3 se stabilním výhledem Ratingová agentura Moody´s aktualizovala ohodnocení akciové společnosti ČEPS na úroveň…

Finále celorepublikové soutěže Energetická olympiáda proběhne na FEL ČVUT v Praze Fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze pořádá v pátek 15. listopadu od 8.30 hodin Den…

Chystaná digitalizace stavebnictví pomůže zkvalitnit budovy a ušetřit miliardy Od roku 2022 bude muset být u všech nadlimitních veřejných zakázek v českém stavebnictví…

Více aktualit

Vědci v Austinu vyrobili velké krystaly grafenu

18.11.2013 | |

Velké krystaly grafenu (10 000 krát větší než dosud známé) s mimořádnými elektrickými vlastnostmi byly vytvořeny výzkumníky na University of Texas v Austinu. Nové, centimetr velké krystaly vznikly prakticky jen s použitím tenké měděné fólie a okysličovadla. Od grafenu si vědci slibují velké možnosti využití s ohledem na jeho mimořádnou elektrickou a tepelnou vodivost s potenciálem od solárních článků přes baterie s velkou kapacitou či křídla letadel až po tištěnou elektroniku a vysokorychlostní přenosovou techniku.

Okysličování během krystalizace znamená lepší kontrolu nad procesem krystalizace grafenu. Nevznikne tak bezpočet malých krystalků, ale proces se usměrní a krystaly začnou vyrůstat okolo několika málo jader, uvedl Rodney S. Ruoff, profesor na the Cockrell School of Engineering. Objev toho, jak lze správným množstvím kyslíku v procesu ovlivnit růst grafenových krystalů je významným krokem na cestě k výrobě vysoce kvalitních grafenových folií v průmyslovém měřítku.

Jednokrystalový grafen je to totiž z hlediska dalšího využití daleko výhodnější a má lepší vlastnosti než polykrystalická forma – vazby mezi jednotlivými krystaly jsou náchylnější na různé nepravidelnosti a jiné poruchy. Řízením koncentrace povrchového kyslíku při krystalizaci usměrní počet jader okolo kterých se krystaly nakonec vytvoří. Jedná se o zásadní průlom, který snad jednou umožní vznik vysoce kvalitních velkoplošných grafenových fólií, říká Sanjay Banerjee z Cockrell School’s South West Academy of Nanoelectronics. Právě možnost výroby krystalů o této velikosti měřítku bude znamenat možnost využití grafenu především v oblasti tištěné elektroniky.

V dohledné době by prý mělo být možné vyrábět až metrové krystaly, podobně jako se to v minulosti povedlo s křemíkem nebo křemenem, ale již centimetr je dostatečný k tomu, aby se začalo uvažovat o použití v průmyslových výrobcích. Zpráva o objevu byla publikována v časopise Science dne 8. listopadu.

Obrázek: The Cockrell School of Engineering at The University of Texas at Austin
Více na cleantechnica.com nebo na stránkách UT Austin