Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 2/2019 vyšlo tiskem 13. 2. 2019. V elektronické verzi na webu 11. 3. 2019. 

Téma: Elektrické přístroje – spínací, jisticí, ochranné, signalizační a speciální

Hlavní článek
Perspektivní topologie výkonových měničů
Smart Cities (7. část)

Číslo 1/2019 vyšlo tiskem 4. 2. 2019. V elektronické verzi na webu 5. 3. 2019.

Veletrhy a výstavy
Pozvánka na výstavu SVĚTLO V ARCHITEKTUŘE
Prolight + Sound 2019: pojďte s dobou
Světlo na veletrhu For Arch 2018

Veřejné osvětlení
Světla měst a obcí 2018 – setkání u kulatého stolu

Aktuality

V Praze byla představena publikace Světového energetického výhledu Pod záštitou Ministerstva průmyslu a obchodu se v Praze konala prezentace aktuálního…

Temelín investuje 1,5 miliardy a soustředí se na efektivitu provozu Přestože je Temelín nejnovější jadernou lokalitou v Evropě, bude i nadále pokračovat v…

50. konferencia elektrotechnikov Slovenska SEZ-KES Vás pozýva na jubilejnú 50. konferenciu elektrotechnikov Slovenska, ktorá sa…

Do přípravy Národní strategie umělé inteligence se zapojí široká veřejnost Ministerstvo průmyslu a obchodu spustilo konzultaci s odbornou veřejností, firmami i…

Více aktualit

Vědci v Austinu vyrobili velké krystaly grafenu

18.11.2013 | |

Velké krystaly grafenu (10 000 krát větší než dosud známé) s mimořádnými elektrickými vlastnostmi byly vytvořeny výzkumníky na University of Texas v Austinu. Nové, centimetr velké krystaly vznikly prakticky jen s použitím tenké měděné fólie a okysličovadla. Od grafenu si vědci slibují velké možnosti využití s ohledem na jeho mimořádnou elektrickou a tepelnou vodivost s potenciálem od solárních článků přes baterie s velkou kapacitou či křídla letadel až po tištěnou elektroniku a vysokorychlostní přenosovou techniku.

Okysličování během krystalizace znamená lepší kontrolu nad procesem krystalizace grafenu. Nevznikne tak bezpočet malých krystalků, ale proces se usměrní a krystaly začnou vyrůstat okolo několika málo jader, uvedl Rodney S. Ruoff, profesor na the Cockrell School of Engineering. Objev toho, jak lze správným množstvím kyslíku v procesu ovlivnit růst grafenových krystalů je významným krokem na cestě k výrobě vysoce kvalitních grafenových folií v průmyslovém měřítku.

Jednokrystalový grafen je to totiž z hlediska dalšího využití daleko výhodnější a má lepší vlastnosti než polykrystalická forma – vazby mezi jednotlivými krystaly jsou náchylnější na různé nepravidelnosti a jiné poruchy. Řízením koncentrace povrchového kyslíku při krystalizaci usměrní počet jader okolo kterých se krystaly nakonec vytvoří. Jedná se o zásadní průlom, který snad jednou umožní vznik vysoce kvalitních velkoplošných grafenových fólií, říká Sanjay Banerjee z Cockrell School’s South West Academy of Nanoelectronics. Právě možnost výroby krystalů o této velikosti měřítku bude znamenat možnost využití grafenu především v oblasti tištěné elektroniky.

V dohledné době by prý mělo být možné vyrábět až metrové krystaly, podobně jako se to v minulosti povedlo s křemíkem nebo křemenem, ale již centimetr je dostatečný k tomu, aby se začalo uvažovat o použití v průmyslových výrobcích. Zpráva o objevu byla publikována v časopise Science dne 8. listopadu.

Obrázek: The Cockrell School of Engineering at The University of Texas at Austin
Více na cleantechnica.com nebo na stránkách UT Austin