Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 10/2019 vyšlo tiskem 2. 10. 2019. V elektronické verzi na webu ihned. 

Téma: Elektroenergetika; Zařízení pro přenos a distribuci elektřiny

Hlavní článek
Problematika a měření na invertorových svařovacích zdrojích z hlediska odebíraného proudu

Číslo 5/2019 vyšlo tiskem 16. 9. 2019. V elektronické verzi na webu ihned.

Činnost odborných organizací
Mezinárodní konference SVĚTLO 2019 – 6. oznámení
Zúčastnili sme sa kongresu Medzinárodnej komisie pre osvetlenie CIE 2019 vo Washingtone
Odborný seminár SLOVALUX 2019

Veletrhy a výstavy
Inspirujte se boho stylem i designem Dálného východu na podzimním veletrhu FOR INTERIOR

Aktuality

ENERGO SUMMIT – vrcholná událost energetického sektoru 15. listopadu 2019 se na pražském výstavišti PVA EXPO PRAHA uskuteční již 5. ročník…

Druhý ročník e-SALON bude větší a plný premiér čisté mobility Na úspěšnou premiéru e-SALON v roce 2018 naváže na výstavišti PVA v Praze Letňanech jeho…

FOR ARCH oslavil třicetiny! Největší stavební veletrh v ČR nemá konkurenci Stovky vystavovatelů napříč obory, tisíce spokojených návštěvníků, desítky novinek a…

Společnost Eaton opět partnerem projektu Machři roku Společnost Eaton Elektrotechnika, která je součástí globálního leadera v oblasti řízení…

Více aktualit

Vědci v Austinu vyrobili velké krystaly grafenu

18.11.2013 | |

Velké krystaly grafenu (10 000 krát větší než dosud známé) s mimořádnými elektrickými vlastnostmi byly vytvořeny výzkumníky na University of Texas v Austinu. Nové, centimetr velké krystaly vznikly prakticky jen s použitím tenké měděné fólie a okysličovadla. Od grafenu si vědci slibují velké možnosti využití s ohledem na jeho mimořádnou elektrickou a tepelnou vodivost s potenciálem od solárních článků přes baterie s velkou kapacitou či křídla letadel až po tištěnou elektroniku a vysokorychlostní přenosovou techniku.

Okysličování během krystalizace znamená lepší kontrolu nad procesem krystalizace grafenu. Nevznikne tak bezpočet malých krystalků, ale proces se usměrní a krystaly začnou vyrůstat okolo několika málo jader, uvedl Rodney S. Ruoff, profesor na the Cockrell School of Engineering. Objev toho, jak lze správným množstvím kyslíku v procesu ovlivnit růst grafenových krystalů je významným krokem na cestě k výrobě vysoce kvalitních grafenových folií v průmyslovém měřítku.

Jednokrystalový grafen je to totiž z hlediska dalšího využití daleko výhodnější a má lepší vlastnosti než polykrystalická forma – vazby mezi jednotlivými krystaly jsou náchylnější na různé nepravidelnosti a jiné poruchy. Řízením koncentrace povrchového kyslíku při krystalizaci usměrní počet jader okolo kterých se krystaly nakonec vytvoří. Jedná se o zásadní průlom, který snad jednou umožní vznik vysoce kvalitních velkoplošných grafenových fólií, říká Sanjay Banerjee z Cockrell School’s South West Academy of Nanoelectronics. Právě možnost výroby krystalů o této velikosti měřítku bude znamenat možnost využití grafenu především v oblasti tištěné elektroniky.

V dohledné době by prý mělo být možné vyrábět až metrové krystaly, podobně jako se to v minulosti povedlo s křemíkem nebo křemenem, ale již centimetr je dostatečný k tomu, aby se začalo uvažovat o použití v průmyslových výrobcích. Zpráva o objevu byla publikována v časopise Science dne 8. listopadu.

Obrázek: The Cockrell School of Engineering at The University of Texas at Austin
Více na cleantechnica.com nebo na stránkách UT Austin