Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 12/2018 vyšlo tiskem 5. 12. 2018. V elektronické verzi na webu 5. 1. 2019. 

Téma: Měření a měřicí přístroje; Zkušebnictví a diagnostika

Hlavní článek
Termovízne merania v energetike
Smart Cities (5. část)

Číslo 6/2018 vyšlo tiskem 3. 12. 2018. V elektronické verzi na webu 4. 1. 2019.

Svítidla a světelné přístroje
Modulární světlomety Siteco
Dekorativní svítidlo PRESBETON H-E-X z ucelené řady městského mobiliáře
LED svítidla ESALITE – revoluce v oblasti průmyslového osvětlení

Denní světlo
O mediánové osvětlenosti denním světlem
Odborný seminář Denní světlo v praxi

Aktuality

ŠKODA AUTO DigiLab začíná v Praze testovat mobilní nabíjecí stanice pro elektromobily ŠKODA AUTO DigiLab spustila v Praze pilotní fázi nového projektu mobilních nabíjecích…

Nejlepší projekt energetických úspor na Slovensku je z dílny ENESA z ČEZ ESCO V Bratislavě se předávaly ceny za nejlepší slovenské energeticky úsporné projekty. Letos…

Veletrh DŘEVOSTAVBY 2019 se bude konat souběžně s veletrhem MODERNÍ VYTÁPĚNÍ 2019 14. Veletrh DŘEVOSTAVBY 2019 nabídne vše, co lze ze dřeva vyrobit, moderní technologie,…

Podniky v Moravskoslezském kraji řeší transformaci průmyslu Transformaci průmyslu od těžkého, hutního, k moderním digitalizovaným a automatizovaným…

Více aktualit

Vědci v Austinu vyrobili velké krystaly grafenu

18.11.2013 | |

Velké krystaly grafenu (10 000 krát větší než dosud známé) s mimořádnými elektrickými vlastnostmi byly vytvořeny výzkumníky na University of Texas v Austinu. Nové, centimetr velké krystaly vznikly prakticky jen s použitím tenké měděné fólie a okysličovadla. Od grafenu si vědci slibují velké možnosti využití s ohledem na jeho mimořádnou elektrickou a tepelnou vodivost s potenciálem od solárních článků přes baterie s velkou kapacitou či křídla letadel až po tištěnou elektroniku a vysokorychlostní přenosovou techniku.

Okysličování během krystalizace znamená lepší kontrolu nad procesem krystalizace grafenu. Nevznikne tak bezpočet malých krystalků, ale proces se usměrní a krystaly začnou vyrůstat okolo několika málo jader, uvedl Rodney S. Ruoff, profesor na the Cockrell School of Engineering. Objev toho, jak lze správným množstvím kyslíku v procesu ovlivnit růst grafenových krystalů je významným krokem na cestě k výrobě vysoce kvalitních grafenových folií v průmyslovém měřítku.

Jednokrystalový grafen je to totiž z hlediska dalšího využití daleko výhodnější a má lepší vlastnosti než polykrystalická forma – vazby mezi jednotlivými krystaly jsou náchylnější na různé nepravidelnosti a jiné poruchy. Řízením koncentrace povrchového kyslíku při krystalizaci usměrní počet jader okolo kterých se krystaly nakonec vytvoří. Jedná se o zásadní průlom, který snad jednou umožní vznik vysoce kvalitních velkoplošných grafenových fólií, říká Sanjay Banerjee z Cockrell School’s South West Academy of Nanoelectronics. Právě možnost výroby krystalů o této velikosti měřítku bude znamenat možnost využití grafenu především v oblasti tištěné elektroniky.

V dohledné době by prý mělo být možné vyrábět až metrové krystaly, podobně jako se to v minulosti povedlo s křemíkem nebo křemenem, ale již centimetr je dostatečný k tomu, aby se začalo uvažovat o použití v průmyslových výrobcích. Zpráva o objevu byla publikována v časopise Science dne 8. listopadu.

Obrázek: The Cockrell School of Engineering at The University of Texas at Austin
Více na cleantechnica.com nebo na stránkách UT Austin