Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 4/2018 vyšlo tiskem 18. 4. 2018. V elektronické verzi na webu od 15. 5. 2018. 

Téma: Elektroinstalace; Inteligentní budovy; IoT; HVAC

Hlavní článek
Smart Cities (1. část)

Číslo 2/2018 vyšlo tiskem 16. 3. 2018. V elektronické verzi na webu bude ihned.

Veletrhy a výstavy
Interiérová elita opět po roce v Letňanech

Svítidla a světelné přístroje
Nouzové osvětlení
Budoucnost průmyslového osvětlení se jmenuje INNOVA
Svítidlo GOLY – praktické svítidlo high bay“
McLED® – značka kvalitního LED osvětlení
Svítidlo VOLGA EU – naše volba pro Evropu

Aktuality

Mezinárodní strojírenský veletrh oslaví šedesátku s novým vizuálem Ozubené kolo, modrá a červená barva, šipky a uprostřed písmena MSV - česká zkratka,…

ČEPS, a.s., hospodařila vloni se ziskem přes 2,8 miliardy Akciová společnost ČEPS vykázala za rok 2017 zisk 2,897 miliardy před zdaněním. K nárůstu…

ABB v České republice buduje síť rychlonabíjecích stanic Síť rychlonabíjecích stanic pro elektrická vozidla se v České republice díky technologiím…

60. ročník Mezinárodního strojírenského veletrhu Zapište si do kalendářů 1. – 5. října 2018. V tomto termínu se totiž na brněnském…

Více aktualit

Vědci v Austinu vyrobili velké krystaly grafenu

18.11.2013 | |

Velké krystaly grafenu (10 000 krát větší než dosud známé) s mimořádnými elektrickými vlastnostmi byly vytvořeny výzkumníky na University of Texas v Austinu. Nové, centimetr velké krystaly vznikly prakticky jen s použitím tenké měděné fólie a okysličovadla. Od grafenu si vědci slibují velké možnosti využití s ohledem na jeho mimořádnou elektrickou a tepelnou vodivost s potenciálem od solárních článků přes baterie s velkou kapacitou či křídla letadel až po tištěnou elektroniku a vysokorychlostní přenosovou techniku.

Okysličování během krystalizace znamená lepší kontrolu nad procesem krystalizace grafenu. Nevznikne tak bezpočet malých krystalků, ale proces se usměrní a krystaly začnou vyrůstat okolo několika málo jader, uvedl Rodney S. Ruoff, profesor na the Cockrell School of Engineering. Objev toho, jak lze správným množstvím kyslíku v procesu ovlivnit růst grafenových krystalů je významným krokem na cestě k výrobě vysoce kvalitních grafenových folií v průmyslovém měřítku.

Jednokrystalový grafen je to totiž z hlediska dalšího využití daleko výhodnější a má lepší vlastnosti než polykrystalická forma – vazby mezi jednotlivými krystaly jsou náchylnější na různé nepravidelnosti a jiné poruchy. Řízením koncentrace povrchového kyslíku při krystalizaci usměrní počet jader okolo kterých se krystaly nakonec vytvoří. Jedná se o zásadní průlom, který snad jednou umožní vznik vysoce kvalitních velkoplošných grafenových fólií, říká Sanjay Banerjee z Cockrell School’s South West Academy of Nanoelectronics. Právě možnost výroby krystalů o této velikosti měřítku bude znamenat možnost využití grafenu především v oblasti tištěné elektroniky.

V dohledné době by prý mělo být možné vyrábět až metrové krystaly, podobně jako se to v minulosti povedlo s křemíkem nebo křemenem, ale již centimetr je dostatečný k tomu, aby se začalo uvažovat o použití v průmyslových výrobcích. Zpráva o objevu byla publikována v časopise Science dne 8. listopadu.

Obrázek: The Cockrell School of Engineering at The University of Texas at Austin
Více na cleantechnica.com nebo na stránkách UT Austin