Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 7/2018 vyšlo tiskem 27. 6. 2018. V elektronické verzi na webu od 27. 7. 2018. 

Téma: Kabely, vodiče, kabelová technika; Nářadí, nástroje a zařízení pro práci s kabely

Hlavní článek
Parametrizace obvodových modelů lithiových akumulátorů pro elektromobilitu
Smart Cities (3. část – 1. díl)

Číslo 4/2018 vyšlo tiskem 30. 7. 2018. V elektronické verzi na webu 31. 8. 2018.

Pro osvěžení paměti
Excentrická svítidla Reného Roubíčka z let 1965 až 1977
Základy fotometrie – 1. část
Velká postava české vědy pobělohorské doby: lékař, filozof, přírodovědec a fyzik Jan Marek Marci z Kronlandu

Účinky a užití optického záření
Světlo a cirkadiánní rytmy

Aktuality

Úspěch studentské formule týmu eForce FEE Prague Formula Studentská formule týmu eForce FEE Prague Formula z Fakulty elektrotechnické ČVUT v Praze…

ČEZ ESCO získala svou historicky největší zakázku v osvětlení ČEZ Energetické služby, dceřiná společnost ČEZ ESCO, dodá osvětlení pro 59 obchodů…

Energetici v Dukovanech spustili čtvrtý blok, elektřinu vyrábí všechny bloky V Jaderné elektrárně Dukovany energetici spustili čtvrtý výrobní blok. Ukončili tak…

Nejlepší studenti 2018 nalezeni Do finálového kola 8. ročníku soutěže Nejlepší student, které se konalo 20. června 2018 v…

Více aktualit

Vědci v Austinu vyrobili velké krystaly grafenu

18.11.2013 | |

Velké krystaly grafenu (10 000 krát větší než dosud známé) s mimořádnými elektrickými vlastnostmi byly vytvořeny výzkumníky na University of Texas v Austinu. Nové, centimetr velké krystaly vznikly prakticky jen s použitím tenké měděné fólie a okysličovadla. Od grafenu si vědci slibují velké možnosti využití s ohledem na jeho mimořádnou elektrickou a tepelnou vodivost s potenciálem od solárních článků přes baterie s velkou kapacitou či křídla letadel až po tištěnou elektroniku a vysokorychlostní přenosovou techniku.

Okysličování během krystalizace znamená lepší kontrolu nad procesem krystalizace grafenu. Nevznikne tak bezpočet malých krystalků, ale proces se usměrní a krystaly začnou vyrůstat okolo několika málo jader, uvedl Rodney S. Ruoff, profesor na the Cockrell School of Engineering. Objev toho, jak lze správným množstvím kyslíku v procesu ovlivnit růst grafenových krystalů je významným krokem na cestě k výrobě vysoce kvalitních grafenových folií v průmyslovém měřítku.

Jednokrystalový grafen je to totiž z hlediska dalšího využití daleko výhodnější a má lepší vlastnosti než polykrystalická forma – vazby mezi jednotlivými krystaly jsou náchylnější na různé nepravidelnosti a jiné poruchy. Řízením koncentrace povrchového kyslíku při krystalizaci usměrní počet jader okolo kterých se krystaly nakonec vytvoří. Jedná se o zásadní průlom, který snad jednou umožní vznik vysoce kvalitních velkoplošných grafenových fólií, říká Sanjay Banerjee z Cockrell School’s South West Academy of Nanoelectronics. Právě možnost výroby krystalů o této velikosti měřítku bude znamenat možnost využití grafenu především v oblasti tištěné elektroniky.

V dohledné době by prý mělo být možné vyrábět až metrové krystaly, podobně jako se to v minulosti povedlo s křemíkem nebo křemenem, ale již centimetr je dostatečný k tomu, aby se začalo uvažovat o použití v průmyslových výrobcích. Zpráva o objevu byla publikována v časopise Science dne 8. listopadu.

Obrázek: The Cockrell School of Engineering at The University of Texas at Austin
Více na cleantechnica.com nebo na stránkách UT Austin