Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 6/2018 vyšlo tiskem 6. 6. 2018. V elektronické verzi na webu od 26. 6. 2018. 

Téma: Točivé elektrické stroje, pohony a výkonová elektronika; Elektromobilita

Hlavní článek
Energetická platforma pro systém Vehicle to Grid/Home
Smart Cities (2. část – 2. díl)

Číslo 3/2018 vyšlo tiskem 15. 6. 2018. V elektronické verzi na webu 16. 7. 2018.

Příslušenství osvětlovacích soustav
Večer s Foxtrotem na Českém nebi

Veřejné osvětlení
Nadčasové svítidlo pro veřejné osvětlení – Streetlight 11
Ovládání veřejného osvětlení

Aktuality

Nejlepší studenti 2018 nalezeni Do finálového kola 8. ročníku soutěže Nejlepší student, které se konalo 20. června 2018 v…

Výběrové řízení na dodavatele pro krytí ztrát pokračuje pátým aukčním kolem Páté aukční kolo výběrového řízení na dodavatele elektřiny pro krytí ztrát v přenosové…

Sympozium o fyzice plazmatu – trendy jaderné fúze i aplikace netermálního plazmatu v medicíně Fakulta elektrotechnická Českého vysokého učení technického v Praze pořádá ve spolupráci…

Novinky z oblasti elektrotechniky, energetiky a elektroniky predstavil veľtrh ELO SYS 2018 24. ročník medzinárodného veľtrhu ELO SYS sa konal v termíne 22. až 25. mája 2018 na…

Více aktualit

Vědci v Austinu vyrobili velké krystaly grafenu

18.11.2013 | |

Velké krystaly grafenu (10 000 krát větší než dosud známé) s mimořádnými elektrickými vlastnostmi byly vytvořeny výzkumníky na University of Texas v Austinu. Nové, centimetr velké krystaly vznikly prakticky jen s použitím tenké měděné fólie a okysličovadla. Od grafenu si vědci slibují velké možnosti využití s ohledem na jeho mimořádnou elektrickou a tepelnou vodivost s potenciálem od solárních článků přes baterie s velkou kapacitou či křídla letadel až po tištěnou elektroniku a vysokorychlostní přenosovou techniku.

Okysličování během krystalizace znamená lepší kontrolu nad procesem krystalizace grafenu. Nevznikne tak bezpočet malých krystalků, ale proces se usměrní a krystaly začnou vyrůstat okolo několika málo jader, uvedl Rodney S. Ruoff, profesor na the Cockrell School of Engineering. Objev toho, jak lze správným množstvím kyslíku v procesu ovlivnit růst grafenových krystalů je významným krokem na cestě k výrobě vysoce kvalitních grafenových folií v průmyslovém měřítku.

Jednokrystalový grafen je to totiž z hlediska dalšího využití daleko výhodnější a má lepší vlastnosti než polykrystalická forma – vazby mezi jednotlivými krystaly jsou náchylnější na různé nepravidelnosti a jiné poruchy. Řízením koncentrace povrchového kyslíku při krystalizaci usměrní počet jader okolo kterých se krystaly nakonec vytvoří. Jedná se o zásadní průlom, který snad jednou umožní vznik vysoce kvalitních velkoplošných grafenových fólií, říká Sanjay Banerjee z Cockrell School’s South West Academy of Nanoelectronics. Právě možnost výroby krystalů o této velikosti měřítku bude znamenat možnost využití grafenu především v oblasti tištěné elektroniky.

V dohledné době by prý mělo být možné vyrábět až metrové krystaly, podobně jako se to v minulosti povedlo s křemíkem nebo křemenem, ale již centimetr je dostatečný k tomu, aby se začalo uvažovat o použití v průmyslových výrobcích. Zpráva o objevu byla publikována v časopise Science dne 8. listopadu.

Obrázek: The Cockrell School of Engineering at The University of Texas at Austin
Více na cleantechnica.com nebo na stránkách UT Austin