Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 4/2019 vyšlo tiskem
17. 4. 2019. V elektronické verzi na webu 13. 5. 2019. 

Téma: Elektroinstalace; Inteligentní budovy; IoT; HVAC; Zabezpečovací technika

Hlavní článek
Smart Cities (9. část)

Číslo 2/2019 vyšlo tiskem 15. 3. 2019. V elektronické verzi na webu ihned.

Architekturní a scénické osvětlení
Architekturní osvětlení hradu Bečov nad Teplou
Světelný design v kostce (41)
Analýza světelného obrazu trochu více teoreticky

Denní světlo
Největší chyby v návrhu denního osvětlení budov

Aktuality

E.ON postavil novou rozvodnu v Boršicích za 100 milionů korun Společnost E.ON Distribuce dnes slavnostně otevřela novou rozvodnu v Boršicích u Blatnice…

Společnost Danfoss spustila nové webové stránky Společnost Danfoss spustila nové webové stránky, které jsou digitální, rychlé a snadné.

Veletrh FOR ARCH 2019 poradí jaké dotace lze čerpat Jubilejní 30. ročník veletrhu FOR ARCH přinese kromě novinek a trendů z oblasti…

Plovoucí jaderná elektrárna bude spuštěna v listopadu 2019 Zkušební provoz plovoucí jaderné elektrárny Akademik Lomonosov bude na Čukotce zahájen v…

Více aktualit

Vědci v Austinu vyrobili velké krystaly grafenu

18.11.2013 | |

Velké krystaly grafenu (10 000 krát větší než dosud známé) s mimořádnými elektrickými vlastnostmi byly vytvořeny výzkumníky na University of Texas v Austinu. Nové, centimetr velké krystaly vznikly prakticky jen s použitím tenké měděné fólie a okysličovadla. Od grafenu si vědci slibují velké možnosti využití s ohledem na jeho mimořádnou elektrickou a tepelnou vodivost s potenciálem od solárních článků přes baterie s velkou kapacitou či křídla letadel až po tištěnou elektroniku a vysokorychlostní přenosovou techniku.

Okysličování během krystalizace znamená lepší kontrolu nad procesem krystalizace grafenu. Nevznikne tak bezpočet malých krystalků, ale proces se usměrní a krystaly začnou vyrůstat okolo několika málo jader, uvedl Rodney S. Ruoff, profesor na the Cockrell School of Engineering. Objev toho, jak lze správným množstvím kyslíku v procesu ovlivnit růst grafenových krystalů je významným krokem na cestě k výrobě vysoce kvalitních grafenových folií v průmyslovém měřítku.

Jednokrystalový grafen je to totiž z hlediska dalšího využití daleko výhodnější a má lepší vlastnosti než polykrystalická forma – vazby mezi jednotlivými krystaly jsou náchylnější na různé nepravidelnosti a jiné poruchy. Řízením koncentrace povrchového kyslíku při krystalizaci usměrní počet jader okolo kterých se krystaly nakonec vytvoří. Jedná se o zásadní průlom, který snad jednou umožní vznik vysoce kvalitních velkoplošných grafenových fólií, říká Sanjay Banerjee z Cockrell School’s South West Academy of Nanoelectronics. Právě možnost výroby krystalů o této velikosti měřítku bude znamenat možnost využití grafenu především v oblasti tištěné elektroniky.

V dohledné době by prý mělo být možné vyrábět až metrové krystaly, podobně jako se to v minulosti povedlo s křemíkem nebo křemenem, ale již centimetr je dostatečný k tomu, aby se začalo uvažovat o použití v průmyslových výrobcích. Zpráva o objevu byla publikována v časopise Science dne 8. listopadu.

Obrázek: The Cockrell School of Engineering at The University of Texas at Austin
Více na cleantechnica.com nebo na stránkách UT Austin