Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 3/2017 vyšlo tiskem 15. 3. 2017. V elektronické verzi na webu bude ihned. 

Téma: Amper 2017 – 25. mezinárodní elektrotechnický veletrh

Hlavní článek
Problémy elektromobility

Číslo 2/2017 vyšlo tiskem 17. 3. 2017. V elektronické verzi na webu bude ihned.

Veletrhy a výstavy
Inspirativní osvětlení ze zahraničních veletrhů 

Příslušenství osvětlovacích soustav
Na osvětlení provozu lze šetřit s minimem investic
Maxos fusion – nový rychlomontážní systém Philips
Inteligentní řešení DALISYS® pro řízení osvětlení

Aktuality

MSV 2017 zacílí na Průmysl 4.0, automatizaci, environmentální technologie, dopravu a logistiku Již potřetí se na MSV 2017 upře pozornost na nové trendy průmyslové výroby. Průmysl 4.0 s…

Současné možnosti elektromobility představí AMPER Motion 2017 Největší přehlídka elektromobility v ČR proběhne 21.- 24. 3. na brněnském výstavišti a…

Startuje 9. ročník největší tuzemské ekologické soutěže Odstartoval již 9. ročník největší tuzemské ekologické soutěže E.ON Energy Globe.…

V distribuční soustavě (DS) ČEZ Distribuce, a. s. je vyhlášen kalamitní stav Od 9 h dne 24.2.2017 je vyhlášen kalamitní stav v Karlovarském kraji - okres Karlovy Vary…

Více aktualit

Vědci v Austinu vyrobili velké krystaly grafenu

18.11.2013 | |

Velké krystaly grafenu (10 000 krát větší než dosud známé) s mimořádnými elektrickými vlastnostmi byly vytvořeny výzkumníky na University of Texas v Austinu. Nové, centimetr velké krystaly vznikly prakticky jen s použitím tenké měděné fólie a okysličovadla. Od grafenu si vědci slibují velké možnosti využití s ohledem na jeho mimořádnou elektrickou a tepelnou vodivost s potenciálem od solárních článků přes baterie s velkou kapacitou či křídla letadel až po tištěnou elektroniku a vysokorychlostní přenosovou techniku.

Okysličování během krystalizace znamená lepší kontrolu nad procesem krystalizace grafenu. Nevznikne tak bezpočet malých krystalků, ale proces se usměrní a krystaly začnou vyrůstat okolo několika málo jader, uvedl Rodney S. Ruoff, profesor na the Cockrell School of Engineering. Objev toho, jak lze správným množstvím kyslíku v procesu ovlivnit růst grafenových krystalů je významným krokem na cestě k výrobě vysoce kvalitních grafenových folií v průmyslovém měřítku.

Jednokrystalový grafen je to totiž z hlediska dalšího využití daleko výhodnější a má lepší vlastnosti než polykrystalická forma – vazby mezi jednotlivými krystaly jsou náchylnější na různé nepravidelnosti a jiné poruchy. Řízením koncentrace povrchového kyslíku při krystalizaci usměrní počet jader okolo kterých se krystaly nakonec vytvoří. Jedná se o zásadní průlom, který snad jednou umožní vznik vysoce kvalitních velkoplošných grafenových fólií, říká Sanjay Banerjee z Cockrell School’s South West Academy of Nanoelectronics. Právě možnost výroby krystalů o této velikosti měřítku bude znamenat možnost využití grafenu především v oblasti tištěné elektroniky.

V dohledné době by prý mělo být možné vyrábět až metrové krystaly, podobně jako se to v minulosti povedlo s křemíkem nebo křemenem, ale již centimetr je dostatečný k tomu, aby se začalo uvažovat o použití v průmyslových výrobcích. Zpráva o objevu byla publikována v časopise Science dne 8. listopadu.

Obrázek: The Cockrell School of Engineering at The University of Texas at Austin
Více na cleantechnica.com nebo na stránkách UT Austin