Toshiba zahájila výrobu bílých LED novou technologií

Toshiba oznámila zahájení výroby LED čipů technologií GaN/Si. Nové LED diody využívají galium nitridových čipů na 200 milimetrovém křemíkovém substrátu.

Před časem jsme informovali o tom, že Toshiba Corporation ve spolupráci se společností Bridgelux vyvinula nový způsob výroby osmipalcových (200 mm) LED čipů založenou na technologii GaN/Si. (více ZDE)

Dne 14. prosince 2012 Toshiba Coroporation oznámila zahájení sériové výroby LED vyrobených touto technologií. Běžně se LED čipy vyrábějí ve velikosti od 2 do 4 palců s využitím poměrně nákladného safírového substrátu. Po té co Toshiba a Bridgelux vyvinuly proces pro výrobu galium-nitridových LED na substrátu z křemíku, vybudovaly novou výrobní linku v severním Japonsku.

V roce 2011 dosahoval celosvětový trh s LED objemu 700 miliard jenů (cca 8,5 miliardy dolarů) a do roku 2016 se očekává nárůst na téměř dvojnásobek – 1 250 miliard jenů (15,2 miliardy dolarů). Toshiba bude dále technologii zdokonalovat a své prodejní aktivity plánuje rozšířit tak, aby si do roku 2016 celosvětově zajistila 10% tržní podíl.

Základní údaje
Název produktu: TL1F1 (1 W)
Rozměry: 6.4 mm (d) x 5.0 mm (š) x 1.35 mm (v)
Světelný tok: 112 lm (při 350mA)
Spuštění sériové výroby: prosinec 2012
Plánovaná výrobní kapacita: 10 000 000 ks měsíčně

Více zde: http://www.toshiba.co.jp/about/press/2012_12/pr1401.htm