Aktuální vydání

Číslo 3/2020 vyšlo tiskem 13. 3. 2020. V elektronické verzi na webu ihned. 

Téma: Trendy v elektrotechnice a souvisejících oborech

Hlavní článek
Využití měniče frekvence pro experimentální zařízení

Číslo 2/2020 vyšlo tiskem 6. 3. 2020. V elektronické verzi na webu ihned.

Trh, obchod, podnikání
BOOBA v novém showroomu, který předčil veškerá očekávání
Rozhovor s předsedou představenstva Technologií hlavního města Prahy

Denní světlo
Diagram zastínění pro 21. březen
Moderní metody získávání dat pro zpracování světelnětechnických posudků

Toshiba zahájila výrobu bílých LED novou technologií

7. 1. 2013 | |

Toshiba oznámila zahájení výroby LED čipů technologií GaN/Si. Nové LED diody využívají galium nitridových čipů na 200 milimetrovém křemíkovém substrátu.

Před časem jsme informovali o tom, že Toshiba Corporation ve spolupráci se společností Bridgelux vyvinula nový způsob výroby osmipalcových (200 mm) LED čipů založenou na technologii GaN/Si. (více ZDE)

Dne 14. prosince 2012 Toshiba Coroporation oznámila zahájení sériové výroby LED vyrobených touto technologií. Běžně se LED čipy vyrábějí ve velikosti od 2 do 4 palců s využitím poměrně nákladného safírového substrátu. Po té co Toshiba a Bridgelux vyvinuly proces pro výrobu galium-nitridových LED na substrátu z křemíku, vybudovaly novou výrobní linku v severním Japonsku.

V roce 2011 dosahoval celosvětový trh s LED objemu 700 miliard jenů (cca 8,5 miliardy dolarů) a do roku 2016 se očekává nárůst na téměř dvojnásobek – 1 250 miliard jenů (15,2 miliardy dolarů). Toshiba bude dále technologii zdokonalovat a své prodejní aktivity plánuje rozšířit tak, aby si do roku 2016 celosvětově zajistila 10% tržní podíl.

Základní údaje
Název produktu: TL1F1 (1 W)
Rozměry: 6.4 mm (d) x 5.0 mm (š) x 1.35 mm (v)
Světelný tok: 112 lm (při 350mA)
Spuštění sériové výroby: prosinec 2012
Plánovaná výrobní kapacita: 10 000 000 ks měsíčně

Více zde: http://www.toshiba.co.jp/about/press/2012_12/pr1401.htm