Aktuální vydání

Číslo 10/2020 vyšlo tiskem 1. 10. 2020. V elektronické verzi na webu 30. 10. 2020. 

Téma: Elektroenergetika; Zařízení pro přenos a distribuci elektřiny

Ze zahraničního tisku
Ochrana před poruchovým obloukem
Rack Unit

Číslo 4-5/2020 vyšlo tiskem 18. 9. 2020. V elektronické verzi na webu ihned.

Účinky a užití optického záření
Rostliny a světlo v biofilním interiéru Část 12
Rostliny a světlo ve veřejných prostorách
Melanopická denná osvetlenosť v budovách

Veletrhy a výstavy
FOR INTERIOR 2020: Inspirace pro bydlení a trendy světa nábytku a interiérů

Inženýři vytvořili nejmenší 3D tranzistory na světě

10. 12. 2018 | MIT | www.mit.edu

Výzkumníkům MIT se ve spolupráci s kolegy z Coloradské univerzity podařilo vyrobit 3D tranzistor, který se může pochlubit několikanásobně menší velikostí ve srovnání s dnešními běžně dostupnými tranzistory.

Inspirací pro výzkum byl výzkumníkům Moorův zákon, který uvádí, že „počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí“. Pro zachování tohoto „zlatého pravidla“ elektroniky se vědci po celém světě neustále snaží nalézat způsoby, jak vměstnat co nejvyšší počet tranzistorů na mikročip. Nejnovějším trendem jdou vertikální 3D tranzistory, které měří v průměru kolem 7 nanometrů. Na jediný mikročip o velikosti nehtu lze umístit až desítky miliard těchto drobných tranzistorů.

3D tranzistory

K vytvoření dosud nejmenšího tranzistoru na světě použili výzkumníci nedávnou vyvinutou techniku chemického leptání zvanou „tepelné leptání na atomové úrovni“ (thermal ALE), která umožňuje precisní úpravu polovodičových materiálů na atomové úrovni. Díky této technice výzkumníci vytvořili 3D tranzistory o průměru pouhých 2,5 nanometrů, které jsou dokonce účinnější než jejich komerční protějšky.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-