Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 7/2019 vyšlo tiskem 26. 6. 2019. V elektronické verzi na webu 26. 7. 2019. 

Téma: Kabely, vodiče a kabelová technika; Nářadí, nástroje a zařízení pro práci s kabely

Hlavní článek
Správa aktiv a potřeba diagnostiky v Průmyslu 4.0

Číslo 3/2019 vyšlo tiskem 11. 6. 2019. V elektronické verzi na webu 15. 7. 2019.

Veletrhy a výstavy
Euroluce 2019 očima designérky
Výstava Světlo v architektuře 2019
Amper 2019 v zajetí „chytrých“ technologií

Pro osvěžení paměti
Osvětlovací sklo z Kamenného pahorku

Aktuality

Digitální továrna 2.0 na MSV 2019 Digitální továrna 2.0 je jedním z hlavních témat Mezinárodního strojírenského veletrhu…

Historicky nejvyšší grant Evropské unie dostal česko-slovenský energetický projekt ACON Společnosti E.ON Distribuce a Západoslovenská distribuční (ZSD) získaly od Evropské…

Viceprezidentem asociace ENTSO-E zvolen člen představenstva ČEPS, a.s., Zbyněk Boldiš Zbyněk Boldiš, člen představenstva ČEPS, a.s., byl zvolen do funkce viceprezidenta…

Drony z Fakulty elektrotechnické ČVUT v Praze budou obhajovat vítězství v Abu Dhabi Utkají se o hlavní cenu 1 milion dolarů. Testy systému spolupracujících autonomních dronů…

Více aktualit

Inženýři vytvořili nejmenší 3D tranzistory na světě

10.12.2018 | MIT | www.mit.edu

Výzkumníkům MIT se ve spolupráci s kolegy z Coloradské univerzity podařilo vyrobit 3D tranzistor, který se může pochlubit několikanásobně menší velikostí ve srovnání s dnešními běžně dostupnými tranzistory.

Inspirací pro výzkum byl výzkumníkům Moorův zákon, který uvádí, že „počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí“. Pro zachování tohoto „zlatého pravidla“ elektroniky se vědci po celém světě neustále snaží nalézat způsoby, jak vměstnat co nejvyšší počet tranzistorů na mikročip. Nejnovějším trendem jdou vertikální 3D tranzistory, které měří v průměru kolem 7 nanometrů. Na jediný mikročip o velikosti nehtu lze umístit až desítky miliard těchto drobných tranzistorů.

3D tranzistory

K vytvoření dosud nejmenšího tranzistoru na světě použili výzkumníci nedávnou vyvinutou techniku chemického leptání zvanou „tepelné leptání na atomové úrovni“ (thermal ALE), která umožňuje precisní úpravu polovodičových materiálů na atomové úrovni. Díky této technice výzkumníci vytvořili 3D tranzistory o průměru pouhých 2,5 nanometrů, které jsou dokonce účinnější než jejich komerční protějšky.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-