Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 11/2019 vyšlo tiskem 6. 11. 2019. V elektronické verzi na webu 2. 12. 2019. 

Téma: Elektrické rozváděče a rozváděčová technika; rozvodny

Hlavní článek
Příčina mechanického chvění těžních synchronních motorů Palašer a jeho odstranění

Číslo 5/2019 vyšlo tiskem 16. 9. 2019. V elektronické verzi na webu ihned.

Činnost odborných organizací
Mezinárodní konference SVĚTLO 2019 – 6. oznámení
Zúčastnili sme sa kongresu Medzinárodnej komisie pre osvetlenie CIE 2019 vo Washingtone
Odborný seminár SLOVALUX 2019

Veletrhy a výstavy
Inspirujte se boho stylem i designem Dálného východu na podzimním veletrhu FOR INTERIOR

Aktuality

Finále celorepublikové soutěže Energetická olympiáda proběhne na FEL ČVUT v Praze Fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze pořádá v pátek 15. listopadu od 8.30 hodin Den…

Chystaná digitalizace stavebnictví pomůže zkvalitnit budovy a ušetřit miliardy Od roku 2022 bude muset být u všech nadlimitních veřejných zakázek v českém stavebnictví…

Co vozí energetici v autě? TETRIS CHALLENGE Co vše se vejde energetikům do auta, které používají metodu práce pod napětím (PPN) –…

ENERGO SUMMIT – vrcholná událost energetického sektoru 15. listopadu 2019 se na pražském výstavišti PVA EXPO PRAHA uskuteční již 5. ročník…

Více aktualit

Inženýři vytvořili nejmenší 3D tranzistory na světě

10.12.2018 | MIT | www.mit.edu

Výzkumníkům MIT se ve spolupráci s kolegy z Coloradské univerzity podařilo vyrobit 3D tranzistor, který se může pochlubit několikanásobně menší velikostí ve srovnání s dnešními běžně dostupnými tranzistory.

Inspirací pro výzkum byl výzkumníkům Moorův zákon, který uvádí, že „počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí“. Pro zachování tohoto „zlatého pravidla“ elektroniky se vědci po celém světě neustále snaží nalézat způsoby, jak vměstnat co nejvyšší počet tranzistorů na mikročip. Nejnovějším trendem jdou vertikální 3D tranzistory, které měří v průměru kolem 7 nanometrů. Na jediný mikročip o velikosti nehtu lze umístit až desítky miliard těchto drobných tranzistorů.

3D tranzistory

K vytvoření dosud nejmenšího tranzistoru na světě použili výzkumníci nedávnou vyvinutou techniku chemického leptání zvanou „tepelné leptání na atomové úrovni“ (thermal ALE), která umožňuje precisní úpravu polovodičových materiálů na atomové úrovni. Díky této technice výzkumníci vytvořili 3D tranzistory o průměru pouhých 2,5 nanometrů, které jsou dokonce účinnější než jejich komerční protějšky.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-