Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 3/2019 vyšlo tiskem 11. 3. 2019. V elektronické verzi na webu ihned. 

Téma: Amper 2019 – 27. mezinárodní elektrotechnický veletrh

Hlavní článek
Smart Cities (8. část)

Číslo 2/2019 vyšlo tiskem 15. 3. 2019. V elektronické verzi na webu ihned.

Architekturní a scénické osvětlení
Architekturní osvětlení hradu Bečov nad Teplou
Světelný design v kostce (41)
Analýza světelného obrazu trochu více teoreticky

Denní světlo
Největší chyby v návrhu denního osvětlení budov

Aktuality

Svítící motocyklistické oblečení pro zvýšenou bezpečnost na silnicích Výrobce motorkářského oblečení Held se spojil s firmou Osram s cílem zlepšit viditelnost…

Semináre pre revíznych technikov SEZ-KES Vás pozýva na monotematický seminár pre revíznych technikov „Teoretické a…

Největší větrná elektrárna v Česku pomohla skupině Portiva překonat rekord Energetická divize investiční skupiny Portiva loni dokázala vyrobit nejvíce elektrické…

Světlo v architektuře - 6. ročník specializované výstavy V březnu budou zářit nejen hvězdy, ale i svítidla na výstavě SVĚTLO V ARCHITEKTUŘE!

Více aktualit

Inženýři vytvořili nejmenší 3D tranzistory na světě

10.12.2018 | MIT | www.mit.edu

Výzkumníkům MIT se ve spolupráci s kolegy z Coloradské univerzity podařilo vyrobit 3D tranzistor, který se může pochlubit několikanásobně menší velikostí ve srovnání s dnešními běžně dostupnými tranzistory.

Inspirací pro výzkum byl výzkumníkům Moorův zákon, který uvádí, že „počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí“. Pro zachování tohoto „zlatého pravidla“ elektroniky se vědci po celém světě neustále snaží nalézat způsoby, jak vměstnat co nejvyšší počet tranzistorů na mikročip. Nejnovějším trendem jdou vertikální 3D tranzistory, které měří v průměru kolem 7 nanometrů. Na jediný mikročip o velikosti nehtu lze umístit až desítky miliard těchto drobných tranzistorů.

3D tranzistory

K vytvoření dosud nejmenšího tranzistoru na světě použili výzkumníci nedávnou vyvinutou techniku chemického leptání zvanou „tepelné leptání na atomové úrovni“ (thermal ALE), která umožňuje precisní úpravu polovodičových materiálů na atomové úrovni. Díky této technice výzkumníci vytvořili 3D tranzistory o průměru pouhých 2,5 nanometrů, které jsou dokonce účinnější než jejich komerční protějšky.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-