Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 2/2020 vyšlo tiskem 12. 2. 2020. V elektronické verzi na webu 12. 3. 2020. 

Téma: Elektrické přístroje; Internet věcí; Zdravotnická technika

Hlavní článek
Monitorování obsazenosti prostor inteligentní budovy

Číslo 1/2020 vyšlo tiskem 3. 2. 2020. V elektronické verzi na webu 3. 3. 2020.

Veletrhy a výstavy
Pozvánka na Light+Building 2020 – doprovodný program
Veletrh Prolight+Sound slaví 25. narozeniny
FOR CITY 2020 se představí v souběhu s veletrhem FOR ARCH

Svítidla a světelné přístroje
Moderní trendy automobilových světlometů

Aktuality

Týmy Formula Student z ČVUT budou mít premiéru na okruhu Formule 1 Yas Marina v Abú Dhabí Týmy mezinárodní soutěže Formula Student z Českého vysokého učení technického v Praze se…

Výstavba 7. bloku JE Tchien-wan s reaktorem VVER-1200 začne už letos Ruská korporace pro atomovou energii Rosatom 20. ledna 2020 uvedla, že výstavbu 7. bloku…

Přístroje ABB pomáhají pěstovat chutná česká rajčata bez pesticidů Dát si v zimě čerstvá zralá rajčata, která by pocházela od lokálních pěstitelů, bylo až…

Česká komora architektů vyhlásila 5. ročník České ceny za architekturu Soutěžní přehlídka je otevřena architektonickým realizacím postaveným na území České…

Více aktualit

Inženýři vytvořili nejmenší 3D tranzistory na světě

10.12.2018 | MIT | www.mit.edu

Výzkumníkům MIT se ve spolupráci s kolegy z Coloradské univerzity podařilo vyrobit 3D tranzistor, který se může pochlubit několikanásobně menší velikostí ve srovnání s dnešními běžně dostupnými tranzistory.

Inspirací pro výzkum byl výzkumníkům Moorův zákon, který uvádí, že „počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí“. Pro zachování tohoto „zlatého pravidla“ elektroniky se vědci po celém světě neustále snaží nalézat způsoby, jak vměstnat co nejvyšší počet tranzistorů na mikročip. Nejnovějším trendem jdou vertikální 3D tranzistory, které měří v průměru kolem 7 nanometrů. Na jediný mikročip o velikosti nehtu lze umístit až desítky miliard těchto drobných tranzistorů.

3D tranzistory

K vytvoření dosud nejmenšího tranzistoru na světě použili výzkumníci nedávnou vyvinutou techniku chemického leptání zvanou „tepelné leptání na atomové úrovni“ (thermal ALE), která umožňuje precisní úpravu polovodičových materiálů na atomové úrovni. Díky této technice výzkumníci vytvořili 3D tranzistory o průměru pouhých 2,5 nanometrů, které jsou dokonce účinnější než jejich komerční protějšky.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-