Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 1/2019 vyšlo tiskem 16. 1. 2019. V elektronické verzi na webu 12. 2. 2019. 

Téma: Elektrotechnologie; Materiály pro elektrotechniku; Elektroinstalační materiál

Hlavní článek
Elektricky vodivá lepidla pro elektrotechniku
Smart Cities (6. část)

Číslo 6/2018 vyšlo tiskem 3. 12. 2018. V elektronické verzi na webu 4. 1. 2019.

Svítidla a světelné přístroje
Modulární světlomety Siteco
Dekorativní svítidlo PRESBETON H-E-X z ucelené řady městského mobiliáře
LED svítidla ESALITE – revoluce v oblasti průmyslového osvětlení

Denní světlo
O mediánové osvětlenosti denním světlem
Odborný seminář Denní světlo v praxi

Aktuality

Personální inzerce Společnost AZ Elektrostav, a.s., z Nymburka, a její dceřiná společnost ELTRAF, a.s., se…

Fórum automatizace 2019 ukáže perspektivy a úskalí digitalizace Cesta k digitalizaci v průmyslu, infrastruktuře, dopravě a dalších oborech může být i…

Ing. Martin Durčák zvolen předsedou představenstva ČEPS, a.s. Představenstvo společnosti ČEPS zvolilo na svém mimořádném zasedání předsedou…

ČEZ Distribuce se cvičně bránila kybernetickému útoku Hrozba kybernetických útoků je v poslední době stále častěji skloňované téma. Hned…

Více aktualit

Inženýři vytvořili nejmenší 3D tranzistory na světě

10.12.2018 | MIT | www.mit.edu

Výzkumníkům MIT se ve spolupráci s kolegy z Coloradské univerzity podařilo vyrobit 3D tranzistor, který se může pochlubit několikanásobně menší velikostí ve srovnání s dnešními běžně dostupnými tranzistory.

Inspirací pro výzkum byl výzkumníkům Moorův zákon, který uvádí, že „počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí“. Pro zachování tohoto „zlatého pravidla“ elektroniky se vědci po celém světě neustále snaží nalézat způsoby, jak vměstnat co nejvyšší počet tranzistorů na mikročip. Nejnovějším trendem jdou vertikální 3D tranzistory, které měří v průměru kolem 7 nanometrů. Na jediný mikročip o velikosti nehtu lze umístit až desítky miliard těchto drobných tranzistorů.

3D tranzistory

K vytvoření dosud nejmenšího tranzistoru na světě použili výzkumníci nedávnou vyvinutou techniku chemického leptání zvanou „tepelné leptání na atomové úrovni“ (thermal ALE), která umožňuje precisní úpravu polovodičových materiálů na atomové úrovni. Díky této technice výzkumníci vytvořili 3D tranzistory o průměru pouhých 2,5 nanometrů, které jsou dokonce účinnější než jejich komerční protějšky.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-