Aktuální vydání

Číslo 7/2021 vyšlo tiskem 30. 6. 2021. V elektronické verzi na webu 30. 7. 2021. 

Téma: Kabely, vodiče a kabelová technika; Nářadí, nástroje a zařízení pro práci s kabely

Technická informace o výrobku
Nová generace přepěťových ochran CITEL s integrovaným předjištěním – DACF25S
Opakovaně použitelné čisticí utěrky pro průmysl, řemesla a dokonalou čistotu

Číslo 3/2021 vyšlo tiskem
18. 6. 2021. V elektronické verzi na webu 19. 7. 2021.

Osvětlení interiérů
Osvětlení nového ateliéru Ronyho Plesla
Realizace osvětlení INGE aneb dobrých zpráv není nikdy dost

Měření a výpočty
Měřič UV záření VOLTCRAFT UV-500

Inženýři vytvořili nejmenší 3D tranzistory na světě

10. 12. 2018 | MIT | www.mit.edu

Výzkumníkům MIT se ve spolupráci s kolegy z Coloradské univerzity podařilo vyrobit 3D tranzistor, který se může pochlubit několikanásobně menší velikostí ve srovnání s dnešními běžně dostupnými tranzistory.

Inspirací pro výzkum byl výzkumníkům Moorův zákon, který uvádí, že „počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí“. Pro zachování tohoto „zlatého pravidla“ elektroniky se vědci po celém světě neustále snaží nalézat způsoby, jak vměstnat co nejvyšší počet tranzistorů na mikročip. Nejnovějším trendem jdou vertikální 3D tranzistory, které měří v průměru kolem 7 nanometrů. Na jediný mikročip o velikosti nehtu lze umístit až desítky miliard těchto drobných tranzistorů.

3D tranzistory

K vytvoření dosud nejmenšího tranzistoru na světě použili výzkumníci nedávnou vyvinutou techniku chemického leptání zvanou „tepelné leptání na atomové úrovni“ (thermal ALE), která umožňuje precisní úpravu polovodičových materiálů na atomové úrovni. Díky této technice výzkumníci vytvořili 3D tranzistory o průměru pouhých 2,5 nanometrů, které jsou dokonce účinnější než jejich komerční protějšky.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-