Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 8-9/2019 vyšlo tiskem 3. 9. 2019. V elektronické verzi na webu ihned. 

Téma: Elektrotechnika v průmyslu; 61. mezinárodní strojírenský veletrh v Brně

Hlavní článek
Proudové chrániče – přehled a použití

Číslo 5/2019 vyšlo tiskem 16. 9. 2019. V elektronické verzi na webu ihned.

Činnost odborných organizací
Mezinárodní konference SVĚTLO 2019 – 6. oznámení
Zúčastnili sme sa kongresu Medzinárodnej komisie pre osvetlenie CIE 2019 vo Washingtone
Odborný seminár SLOVALUX 2019

Veletrhy a výstavy
Inspirujte se boho stylem i designem Dálného východu na podzimním veletrhu FOR INTERIOR

Aktuality

ČEPS, a.s., v prvním pololetí vykázala zisk 2,3 mld., investovat bude do rozvoje soustavy Akciová společnost ČEPS uzavřela první polovinu roku 2019 se ziskem před zdaněním v…

ČEPS dokončila zaústění nejdelšího vedení zvn Společnost ČEPS dokončila realizaci zaústění nejdelšího vedení zvn v ČR V413, spojujícího…

Cenu Architekt roku 2019 získal český architekt Stanislav Fiala Ocenění za mimořádný přínos architektuře v posledních pěti letech, cenu Architekt roku…

VACON® drives zajišťují maximální provozuschopnost v největších ocelárnách v České republice Zřídkakdy je spolehlivá doba provozu tak kritická, jako při kontilití v ocelárnách. Aby…

Více aktualit

Inženýři vytvořili nejmenší 3D tranzistory na světě

10.12.2018 | MIT | www.mit.edu

Výzkumníkům MIT se ve spolupráci s kolegy z Coloradské univerzity podařilo vyrobit 3D tranzistor, který se může pochlubit několikanásobně menší velikostí ve srovnání s dnešními běžně dostupnými tranzistory.

Inspirací pro výzkum byl výzkumníkům Moorův zákon, který uvádí, že „počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí“. Pro zachování tohoto „zlatého pravidla“ elektroniky se vědci po celém světě neustále snaží nalézat způsoby, jak vměstnat co nejvyšší počet tranzistorů na mikročip. Nejnovějším trendem jdou vertikální 3D tranzistory, které měří v průměru kolem 7 nanometrů. Na jediný mikročip o velikosti nehtu lze umístit až desítky miliard těchto drobných tranzistorů.

3D tranzistory

K vytvoření dosud nejmenšího tranzistoru na světě použili výzkumníci nedávnou vyvinutou techniku chemického leptání zvanou „tepelné leptání na atomové úrovni“ (thermal ALE), která umožňuje precisní úpravu polovodičových materiálů na atomové úrovni. Díky této technice výzkumníci vytvořili 3D tranzistory o průměru pouhých 2,5 nanometrů, které jsou dokonce účinnější než jejich komerční protějšky.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-