Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 12/2019 vyšlo tiskem 4. 12. 2019. V elektronické verzi na webu 4. 1. 2020. 

Téma: Měřicí přístroje, metody měření a dálkové měření

Hlavní článek
Inovativní postupy při diagnostice částečných výbojů při AC a DC napětí

Číslo 6/2019 vyšlo tiskem 9. 12. 2019. V elektronické verzi na webu 9. 1. 2020.

Činnost odborných organizací
Svetelnotechnická konferencia Vyšehradských krajín LUMEN V4 2020 – 1. oznámenie
23. mezinárodní konference SVĚTLO – LIGHT 2019
56. konference Společnosti pro rozvoj veřejného osvětlení v Plzni
Co je nového v CIE

Osvětlení interiérů
Halla osvětlila nové kanceláře Booking.com v centru Prahy

Aktuality

Česká komora architektů vyhlásila 5. ročník České ceny za architekturu Soutěžní přehlídka je otevřena architektonickým realizacím postaveným na území České…

FOR CITY 2020: Inovace pro města, obce i regiony Jaká inovativní řešení, která pomocí moderních technologií zvýší kvalitu života obyvatel…

Nový elektronický obchod Rosatomu usnadňuje povolování nových jaderných bloků Koncern Rosenergoatom (elektroenergetická divize ruské korporace pro atomovou energii…

Veletrh Light+Building slaví dvacáté narozeniny Přijeďte se podívat do Frankfurtu nad Mohanem. V areálu frankfurtského výstaviště se bude…

Více aktualit

Inženýři vytvořili nejmenší 3D tranzistory na světě

10.12.2018 | MIT | www.mit.edu

Výzkumníkům MIT se ve spolupráci s kolegy z Coloradské univerzity podařilo vyrobit 3D tranzistor, který se může pochlubit několikanásobně menší velikostí ve srovnání s dnešními běžně dostupnými tranzistory.

Inspirací pro výzkum byl výzkumníkům Moorův zákon, který uvádí, že „počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí“. Pro zachování tohoto „zlatého pravidla“ elektroniky se vědci po celém světě neustále snaží nalézat způsoby, jak vměstnat co nejvyšší počet tranzistorů na mikročip. Nejnovějším trendem jdou vertikální 3D tranzistory, které měří v průměru kolem 7 nanometrů. Na jediný mikročip o velikosti nehtu lze umístit až desítky miliard těchto drobných tranzistorů.

3D tranzistory

K vytvoření dosud nejmenšího tranzistoru na světě použili výzkumníci nedávnou vyvinutou techniku chemického leptání zvanou „tepelné leptání na atomové úrovni“ (thermal ALE), která umožňuje precisní úpravu polovodičových materiálů na atomové úrovni. Díky této technice výzkumníci vytvořili 3D tranzistory o průměru pouhých 2,5 nanometrů, které jsou dokonce účinnější než jejich komerční protějšky.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-