Aktuální vydání

Číslo 7/2020 vyšlo tiskem 24. 6. 2020. V elektronické verzi na webu 24. 7. 2020. 

Téma: Kabely, vodiče a kabelová technika

Hlavní článek
Nové technologie trakčního napájení 25 kV/50 Hz (2. část)

Číslo 3/2020 vyšlo tiskem 8. 6. 2020. V elektronické verzi na webu 8. 7. 2020.

Činnost odborných organizací
Oznam: LUMEN V4 2020 je zrušený
Co je nového v CIE, duben 2020

Příslušenství osvětlovacích soustav
Foxtrot jako „Master Control“ v Hotelu Breukelen
Regulátory osvětlení – řízení osvětlení na konstantní úroveň

Inženýři vytvořili nejmenší 3D tranzistory na světě

10. 12. 2018 | MIT | www.mit.edu

Výzkumníkům MIT se ve spolupráci s kolegy z Coloradské univerzity podařilo vyrobit 3D tranzistor, který se může pochlubit několikanásobně menší velikostí ve srovnání s dnešními běžně dostupnými tranzistory.

Inspirací pro výzkum byl výzkumníkům Moorův zákon, který uvádí, že „počet tranzistorů, které mohou být umístěny na integrovaný obvod, se při zachování stejné ceny zhruba každých 18 měsíců zdvojnásobí“. Pro zachování tohoto „zlatého pravidla“ elektroniky se vědci po celém světě neustále snaží nalézat způsoby, jak vměstnat co nejvyšší počet tranzistorů na mikročip. Nejnovějším trendem jdou vertikální 3D tranzistory, které měří v průměru kolem 7 nanometrů. Na jediný mikročip o velikosti nehtu lze umístit až desítky miliard těchto drobných tranzistorů.

3D tranzistory

K vytvoření dosud nejmenšího tranzistoru na světě použili výzkumníci nedávnou vyvinutou techniku chemického leptání zvanou „tepelné leptání na atomové úrovni“ (thermal ALE), která umožňuje precisní úpravu polovodičových materiálů na atomové úrovni. Díky této technice výzkumníci vytvořili 3D tranzistory o průměru pouhých 2,5 nanometrů, které jsou dokonce účinnější než jejich komerční protějšky.

Celý článek na MIT

Image Credit: MIT

-jk-