Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 7/2019 vyšlo tiskem 26. 6. 2019. V elektronické verzi na webu 26. 7. 2019. 

Téma: Kabely, vodiče a kabelová technika; Nářadí, nástroje a zařízení pro práci s kabely

Hlavní článek
Správa aktiv a potřeba diagnostiky v Průmyslu 4.0

Číslo 3/2019 vyšlo tiskem 11. 6. 2019. V elektronické verzi na webu 15. 7. 2019.

Veletrhy a výstavy
Euroluce 2019 očima designérky
Výstava Světlo v architektuře 2019
Amper 2019 v zajetí „chytrých“ technologií

Pro osvěžení paměti
Osvětlovací sklo z Kamenného pahorku

Aktuality

Digitální továrna 2.0 na MSV 2019 Digitální továrna 2.0 je jedním z hlavních témat Mezinárodního strojírenského veletrhu…

Historicky nejvyšší grant Evropské unie dostal česko-slovenský energetický projekt ACON Společnosti E.ON Distribuce a Západoslovenská distribuční (ZSD) získaly od Evropské…

Viceprezidentem asociace ENTSO-E zvolen člen představenstva ČEPS, a.s., Zbyněk Boldiš Zbyněk Boldiš, člen představenstva ČEPS, a.s., byl zvolen do funkce viceprezidenta…

Drony z Fakulty elektrotechnické ČVUT v Praze budou obhajovat vítězství v Abu Dhabi Utkají se o hlavní cenu 1 milion dolarů. Testy systému spolupracujících autonomních dronů…

Více aktualit

IBM v jednom optickém vlákně zkombinovalo emitor a detektor světla

17.04.2014 | |

Výzkumníci z IBM Research v Curychu a Norwegian University of Science and Technology (NTNU) dokázali poprvé do jednoho nanovlákna umístit jak účinný světelný zdroj, tak schopnost detekce světla. Stačila k tomu jen vhodná aplikace mechanické síly. 

V optické komunikaci se pro emisi světla obvykle používají tzv. III-V polovodiče a pro detekci křemíkové nebo germaniové polovodiče. Nyní se podařilo obě tyto vlastnosti soustředit v jediném čipu, což dává naději, že v blízké budoucnosti bude možné výrazně snížit složitost nanofotonických komponent.
Vědci, kteří publikovali své výsledky v časopise Nature Communications (článek Inducing a direct-to-pseudodirect bandgap transition in wurtzite GaAs nanowires with uniaxial stress) zjistili, že arsenid galia může být „laděn“ a podle naladění fungovat jednou jako světlo emitující dioda, podruhé jako fotodetektor, a to díky hexagonální krystalické struktuře obdobé krystalické struktuře minerálu zvaného wurtzit. V těchto polovodičích se atomy nacházejí ve velmi specifických polohách. Pokud vyvíjíme tlak tak se toto rozložení mění a my tím můžeme přepínat mezi jednotlivými stavy.

"Když budete nanovlákno po celé jeho délce natahovat, bude ve stavu, kdy může velmi efektivně emitovat světlo. Když místo toho vlákno stlačíme, jeho elektronické vlastnosti se změní a materiál světlo emitovat přestane" V materiálu se pak chová podobně jako křemík nebo germanium a stane se dobrým detektorem."

Optické komunikace nejsou jedinou oblastí potenciálního využití tohoto objevu. "Také nám to umožňuje daleko lépe porozumět fyzice polovodičů, díky čemuž budeme moci navrhovat nanovlákna s vestavěným tlakovým napětím, například pro vyšší účinnost solárních článků, " řekl Helge Weman, profesor na NTNU." To může být například využito k vytvoření různých snímačů tlaku, nebo výrobě elektrické energie, pouhým ohýbáním nanovláken."

Původní článek IEEE Spectrum