Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 5/2017 vyšlo tiskem 11. 5. 2017. V elektronické verzi na webu od 2. 6. 2017. 

Zdůrazněné téma: Ochrana před bleskem a přepětím;
23. ELO SYS 2017

Hlavní článek
Vibrace točivých strojů s magnetickými ložisky

Číslo 2/2017 vyšlo tiskem 17. 3. 2017. V elektronické verzi na webu bude ihned.

Veletrhy a výstavy
Inspirativní osvětlení ze zahraničních veletrhů 

Příslušenství osvětlovacích soustav
Na osvětlení provozu lze šetřit s minimem investic
Maxos fusion – nový rychlomontážní systém Philips
Inteligentní řešení DALISYS® pro řízení osvětlení

Aktuality

Projekt studentů FEL ČVUT v Praze míří na celosvětové finále Microsoft Imagine Studentský startup XGLU, zabývající se vývojem bezbateriového glukometru, vybojoval…

ČEZ zřizuje novou divizi jaderná energetika. Povede ji Bohdan Zronek Vedení Skupiny ČEZ rozhodlo o vzniku nové divize jaderná energetika s platností od 1.…

Příští týden začne v Praze strojírenský veletrh FOR INDUSTRY Letos na něm předvedou jedinečné novinky české společnosti. Spojení designu a moderní…

Vadné adaptéry Tesla poškozují rychlodobíjecí stanice V uplynulých dnech na rychlodobíjecích stanicích ČEZ zaznamenal už několikátý případ…

Více aktualit

IBM v jednom optickém vlákně zkombinovalo emitor a detektor světla

17.04.2014 | |

Výzkumníci z IBM Research v Curychu a Norwegian University of Science and Technology (NTNU) dokázali poprvé do jednoho nanovlákna umístit jak účinný světelný zdroj, tak schopnost detekce světla. Stačila k tomu jen vhodná aplikace mechanické síly. 

V optické komunikaci se pro emisi světla obvykle používají tzv. III-V polovodiče a pro detekci křemíkové nebo germaniové polovodiče. Nyní se podařilo obě tyto vlastnosti soustředit v jediném čipu, což dává naději, že v blízké budoucnosti bude možné výrazně snížit složitost nanofotonických komponent.
Vědci, kteří publikovali své výsledky v časopise Nature Communications (článek Inducing a direct-to-pseudodirect bandgap transition in wurtzite GaAs nanowires with uniaxial stress) zjistili, že arsenid galia může být „laděn“ a podle naladění fungovat jednou jako světlo emitující dioda, podruhé jako fotodetektor, a to díky hexagonální krystalické struktuře obdobé krystalické struktuře minerálu zvaného wurtzit. V těchto polovodičích se atomy nacházejí ve velmi specifických polohách. Pokud vyvíjíme tlak tak se toto rozložení mění a my tím můžeme přepínat mezi jednotlivými stavy.

"Když budete nanovlákno po celé jeho délce natahovat, bude ve stavu, kdy může velmi efektivně emitovat světlo. Když místo toho vlákno stlačíme, jeho elektronické vlastnosti se změní a materiál světlo emitovat přestane" V materiálu se pak chová podobně jako křemík nebo germanium a stane se dobrým detektorem."

Optické komunikace nejsou jedinou oblastí potenciálního využití tohoto objevu. "Také nám to umožňuje daleko lépe porozumět fyzice polovodičů, díky čemuž budeme moci navrhovat nanovlákna s vestavěným tlakovým napětím, například pro vyšší účinnost solárních článků, " řekl Helge Weman, profesor na NTNU." To může být například využito k vytvoření různých snímačů tlaku, nebo výrobě elektrické energie, pouhým ohýbáním nanovláken."

Původní článek IEEE Spectrum