Aktuální vydání

Číslo 4–5/2020 vyšlo tiskem 6. 5. 2020. V elektronické verzi na webu ihned. 

Téma: Elektroinstalace; Ochrana před bleskem a přepětím

Rozhovor s osobností
Český průmysl a inovace v roce 2020

Číslo 2/2020 vyšlo tiskem 6. 3. 2020. V elektronické verzi na webu ihned.

Trh, obchod, podnikání
BOOBA v novém showroomu, který předčil veškerá očekávání
Rozhovor s předsedou představenstva Technologií hlavního města Prahy

Denní světlo
Diagram zastínění pro 21. březen
Moderní metody získávání dat pro zpracování světelnětechnických posudků

Flexibilní polovodič pro elektroniku a solární technologie

14. 9. 2016 | Technical University of Munich | www.tum.de

Dvoušroubovice DNA se svým stabilním a flexibilním tvarem nese genetickou informaci a umožňuje vznik života na Zemi. Tým výzkumníků z mnichovské Technické univerzity (TUM) nyní objevil dvoušroubovici v anorganickém materiálu. Materiál obsahující cín, jód a fosfor je polovodič s neobyčejnými optickými a elektronickými vlastnostmi a mimořádnou mechanickou ohebností.

Tato substance se nazývá SnIP a jedná se o polovodič obsahující základní prvky cínu (Sn), jódu (I) a fosforu (P). Nicméně na rozdíl od tradičních anorganických materiálů je tento polovodič extrémně ohebný. Centimetr dlouhá vlákna mohou být ohnuta do libovolného směru a úhlu bez poškození.

Flexibilní polovodič

Polovodivé vlastnosti SnIP jsou příslibem širokého použití v mnoha oblastech výroby, od přeměny energie v solárních článcích a termoelektrických prvcích po fotokatalyzátory, senzory a optoelektronické prvky. Díky aplikaci dalších elementů mohou být elektronické vlastnosti nového materiálu adaptovány pro použití v mnoha dalších oblastech.

Díky uspořádání atomů ve formě dvoušroubovice mohou být vlákna, která dosahují délky až 1 cm, snadno rozdělena na menší řetězce. Dnešní nejtenčí vlákna obsahují pouze pět řetězců dvoušroubovice a jejich tloušťka je několik nanometrů. To otevírá dveře použití materiálu i v nanoelektronice.

Ceý článek na Technical University of Munich

Image Credit: Andreas Battenberg / TUM

-jk-