Bridgelux a Toshiba dosáhly špičkových parametrů u svých osmipalcových LED čipů na bázi GaN/Si

Bingelux Inc, významný výrobce světelných zdrojů na bázi LED a Toshiba Corporation, přední světový producent polovodičů oznámili, že vyvinuli špičkový osmipalcový LED čip na bázi GaN/Si s příkonem 614 mW, proudem 350 mA při napětí nižším než 3,1 V a síle vrstvy 1,1 mm, a to jen několik měsíců poté, co došlo ke spojení obou společností. Bridgelux a Toshiba chtějí i nadále pracovat na vývoji LED čipů, stále žádanějších pro výrobu LCD panelů a osvětlovacích systémů.

Toshiba zakoupila poloviční podíl ve společnosti BRIDGELUX se záměrem vyvíjet další novinky v oblasti polovodičových světelných zdrojů. Tato investice umožní dále prohlubovat úsilí obou společností v dané oblasti, s cílem co nejvíce podpořit další vývoj. BRIDGELUX vyvinul tento revoluční LED čip na bázi GaN/Si také díky know-how Toshiby v oboru zpracování křemíku.

"Toshiba a BRIDGELUX se společně vývojem těchto výrobků zabývaly už v minulosti, a kapitálové propojení je posune o další krok blíže k dosažení jejích společného cíle maximálního snížení nákladů na výrobu polovodičových světelných zdrojů pro získání co největšího podílu na trhu s osvětlovací technikou," řekl Bill Watkins, generální ředitel BRIDGELUX.

"Velice nás těší, že jsme právě díky spojení BRIDGELUX vytvořili výkonný osmipalcový LED čip na bázi GaN/Si. Budeme pokračovat v dalším vývoji zaměřeném na komerční využití těchto výrobků říká Makoto Hidešima, výkonný viceprezident Semiconductor a Storage Products Company, viceprezident společnosti Toshiba.

http://bridgelux.com/media-center/press-releases/bridgelux-and-toshiba/