Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 12/2019 vyšlo tiskem 4. 12. 2019. V elektronické verzi na webu 4. 1. 2020. 

Téma: Měřicí přístroje, metody měření a dálkové měření

Hlavní článek
Inovativní postupy při diagnostice částečných výbojů při AC a DC napětí

Číslo 5/2019 vyšlo tiskem 16. 9. 2019. V elektronické verzi na webu ihned.

Činnost odborných organizací
Mezinárodní konference SVĚTLO 2019 – 6. oznámení
Zúčastnili sme sa kongresu Medzinárodnej komisie pre osvetlenie CIE 2019 vo Washingtone
Odborný seminár SLOVALUX 2019

Veletrhy a výstavy
Inspirujte se boho stylem i designem Dálného východu na podzimním veletrhu FOR INTERIOR

Aktuality

Cenu ABB za výzkum získal projekt bezbateriového senzoru Grant ve výši 300 000 amerických dolarů získal Ambuj Varshney, který jej využije na…

Rating ČEPS na úrovni Aa3 se stabilním výhledem Ratingová agentura Moody´s aktualizovala ohodnocení akciové společnosti ČEPS na úroveň…

Finále celorepublikové soutěže Energetická olympiáda proběhne na FEL ČVUT v Praze Fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze pořádá v pátek 15. listopadu od 8.30 hodin Den…

Chystaná digitalizace stavebnictví pomůže zkvalitnit budovy a ušetřit miliardy Od roku 2022 bude muset být u všech nadlimitních veřejných zakázek v českém stavebnictví…

Více aktualit

Bridgelux a Toshiba dosáhly špičkových parametrů u svých osmipalcových LED čipů na bázi GaN/Si

17.07.2012 | |

Bingelux Inc, významný výrobce světelných zdrojů na bázi LED a Toshiba Corporation, přední světový producent polovodičů oznámili, že vyvinuli špičkový osmipalcový LED čip na bázi GaN/Si s příkonem 614 mW, proudem 350 mA při napětí nižším než 3,1 V a síle vrstvy 1,1 mm, a to jen několik měsíců poté, co došlo ke spojení obou společností. Bridgelux a Toshiba chtějí i nadále pracovat na vývoji LED čipů, stále žádanějších pro výrobu LCD panelů a osvětlovacích systémů.

Toshiba zakoupila poloviční podíl ve společnosti BRIDGELUX se záměrem vyvíjet další novinky v oblasti polovodičových světelných zdrojů. Tato investice umožní dále prohlubovat úsilí obou společností v dané oblasti, s cílem co nejvíce podpořit další vývoj. BRIDGELUX vyvinul tento revoluční LED čip na bázi GaN/Si také díky know-how Toshiby v oboru zpracování křemíku.

"Toshiba a BRIDGELUX se společně vývojem těchto výrobků zabývaly už v minulosti, a kapitálové propojení je posune o další krok blíže k dosažení jejích společného cíle maximálního snížení nákladů na výrobu polovodičových světelných zdrojů pro získání co největšího podílu na trhu s osvětlovací technikou," řekl Bill Watkins, generální ředitel BRIDGELUX.

"Velice nás těší, že jsme právě díky spojení BRIDGELUX vytvořili výkonný osmipalcový LED čip na bázi GaN/Si. Budeme pokračovat v dalším vývoji zaměřeném na komerční využití těchto výrobků říká Makoto Hidešima, výkonný viceprezident Semiconductor a Storage Products Company, viceprezident společnosti Toshiba.

http://bridgelux.com/media-center/press-releases/bridgelux-and-toshiba/