Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 1/2017 vyšlo tiskem 18. 1. 2017. V elektronické verzi na webu od 17. 2. 2017. 

Téma: Elektrotechnologie; Materiály pro elektrotechniku; Nástroje a pomůcky; Značení

Hlavní článek
Analýza dat fotovoltaického systému během zatmění Slunce
Rizikovost zapojení biometrických identifikačních systémů

Číslo 6/2016 vyšlo tiskem 5. 12. 2016. V elektronické verzi na webu od 5. 1. 2017.

Osvětlení interiérů
Seminář Interiéry 2016 – páté výročí
Součinnost bytového interiéru a osvětlení 

Normy, předpisy a doporučení
Nové normy pro osvětlení pozemních komunikací

Aktuality

Fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze představí zájemcům o studium moderní techniku i její historii Fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze pořádá v pátek 20. ledna od 8.30 hodin první…

Loňská výroba Temelína by stačila k pokrytí téměř roční spotřeby českých domácností Přesně 12,1 terawatthodin elektřiny (TWh) loni vyrobila Jaderná elektrárna Temelín. Je to…

Osmý ročník Robosoutěže Fakulty elektrotechnické ČVUT v Praze ovládli studenti Gymnázia Zlín V pátek 16. prosince se v Zengerově posluchárně Fakulty elektrotechnické ČVUT na Karlově…

Společnost ABF převzala značku projektu SVĚTLO V ARCHITEKTUŘE Specializovanou výstavu svítidel, designu a příslušenství s názvem SVĚTLO V ARCHITEKTUŘE…

Více aktualit

Bridgelux a Toshiba dosáhly špičkových parametrů u svých osmipalcových LED čipů na bázi GaN/Si

17.07.2012 | |

Bingelux Inc, významný výrobce světelných zdrojů na bázi LED a Toshiba Corporation, přední světový producent polovodičů oznámili, že vyvinuli špičkový osmipalcový LED čip na bázi GaN/Si s příkonem 614 mW, proudem 350 mA při napětí nižším než 3,1 V a síle vrstvy 1,1 mm, a to jen několik měsíců poté, co došlo ke spojení obou společností. Bridgelux a Toshiba chtějí i nadále pracovat na vývoji LED čipů, stále žádanějších pro výrobu LCD panelů a osvětlovacích systémů.

Toshiba zakoupila poloviční podíl ve společnosti BRIDGELUX se záměrem vyvíjet další novinky v oblasti polovodičových světelných zdrojů. Tato investice umožní dále prohlubovat úsilí obou společností v dané oblasti, s cílem co nejvíce podpořit další vývoj. BRIDGELUX vyvinul tento revoluční LED čip na bázi GaN/Si také díky know-how Toshiby v oboru zpracování křemíku.

"Toshiba a BRIDGELUX se společně vývojem těchto výrobků zabývaly už v minulosti, a kapitálové propojení je posune o další krok blíže k dosažení jejích společného cíle maximálního snížení nákladů na výrobu polovodičových světelných zdrojů pro získání co největšího podílu na trhu s osvětlovací technikou," řekl Bill Watkins, generální ředitel BRIDGELUX.

"Velice nás těší, že jsme právě díky spojení BRIDGELUX vytvořili výkonný osmipalcový LED čip na bázi GaN/Si. Budeme pokračovat v dalším vývoji zaměřeném na komerční využití těchto výrobků říká Makoto Hidešima, výkonný viceprezident Semiconductor a Storage Products Company, viceprezident společnosti Toshiba.

http://bridgelux.com/media-center/press-releases/bridgelux-and-toshiba/