Aktuální vydání

Číslo 4–5/2020 vyšlo tiskem 6. 5. 2020. V elektronické verzi na webu ihned. 

Téma: Elektroinstalace; Ochrana před bleskem a přepětím

Rozhovor s osobností
Český průmysl a inovace v roce 2020

Číslo 2/2020 vyšlo tiskem 6. 3. 2020. V elektronické verzi na webu ihned.

Trh, obchod, podnikání
BOOBA v novém showroomu, který předčil veškerá očekávání
Rozhovor s předsedou představenstva Technologií hlavního města Prahy

Denní světlo
Diagram zastínění pro 21. březen
Moderní metody získávání dat pro zpracování světelnětechnických posudků

3D memristorový elektrický obvod pro výpočetní algoritmy

4. 5. 2020 | University of Massachusetts | www.massachusetts.edu

Výzkumný tým z Massachusettské univerzity a Výzkumné laboratoře letectva Spojených států amerických vytvořil 3D výpočetní obvod, který lze využít k mapování a implementaci komplexních algoritmů strojového učení, kupříkladu konvolučních neuronových sítí (CNN). Nový 3D obvod, představený v časopise Nature Electronics, sestává z celkem osmi vrstev memristorů – elektrických prvků, které se chovají jako proměnný odpor.

V rámci předchozího výzkumu se nám podařilo vyvinout velmi spolehlivá memristorová zařízení splňující téměř všechny požadavky na provádění výpočtů pro umělé neuronové sítě, integrovat tato zařízení do větších 2D sestav a demonstrovat širokou škálu aplikací pro strojové učení,“ uvedl profesor Qiangfei Xia, jeden ze členů týmu provádějícího studii. „Nyní jsme se rozhodli postoupit o krok dál do třetí dimenze a zkoumali jsme výhody hlubšího propojení v 3D neurálních sítích.“

3D memristor

Topologie prakticky všech existujících plně propojených memristorových zařízení neodpovídá komplexním topologiím moderních neurálních sítí, jako jsou konvoluční neuronové sítě využívané v současné době pro aplikaci počítačového vidění.“ „Následkem toho narážíme na extrémně obtížnou efektivní implementaci konvolučních neuronových sítí v memristorových systémech.“

Celý článek na University of Massachusetts

Image Credit: University of Massachusetts

-jk-