Pokračujeme v díle těch,
kteří byli první.

Aktuální vydání

Číslo 11/2016 vyšlo tiskem
7. 11. 2016. V elektronické verzi na webu od 1. 12. 2016. 

Téma: Rozváděče a rozváděčová technika; Točivé stroje a výkonová elektronika

Hlavní článek
Lithiové trakční akumulátory pro elektromobilitu

Aktuality

Fakulta elektrotechnická je na špici excelentního výzkumu na ČVUT Expertní panely Rady vlády pro výzkum, vývoj, inovace (RVVI) vybraly ve II. pilíři…

Švýcaři v referendu odmítli uzavřít jaderné elektrárny dříve V referendu hlasovalo 45 procent obyvatel, z toho 54,2 procent voličů řeklo návrhu na…

Fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze pořádá 25. 11. 2016 den otevřených dveří Fakulta elektrotechnická ČVUT v Praze pořádá 25. listopadu od 8.30 hodin Den otevřených…

Calliope mini – multifunkční deska Calliope mini poskytuje kreativní možnosti pro každého. A nezáleží na tom, zda jde o…

Ocenění v soutěži České hlavičky získal za elektromagnetický urychlovač student FEL ČVUT Student programu Elektronika a komunikace Fakulty elektrotechnické ČVUT v Praze Vojtěch…

Češi v domácnostech více svítí a experimentují se světlem, doma mají přes 48 milionů svítidel Češi začali v domácnostech více svítit a snaží se vytvořit lepší světelné podmínky:…

Více aktualit

Nový vědecký výsledek v oblasti magnetických pamětí

číslo 12/2006

Nový vědecký výsledek v oblasti magnetických pamětí

Obr. 1.

Tým vědců z laboratoře Hitachi Cambridge, Fyzikálního ústavu AV ČR a univerzit v Cambridgi a Nottinghamu oznámil, že se podařilo poprvé demonstrovat nový efekt nazvaný CBAMR (Coulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance, anizotropní magnetorezistence v režimu Coulombovské blokády). Aktivní část mikročipu, ve kterém byl jev pozorován, je zhotovena z feromagnetického polovodiče a má rozměry jen několika desítek nanometrů. Díky efektu CBAMR funguje tato součástka zároveň jako magnetická paměť a tranzistor. Jednoduchost a nepatrné rozměry tohoto přístroje, jeho funkčnost spojující doposud oddělené oblasti mikroelektroniky a velikost efektu mohou mít veliký potenciál pro technologie magnetických senzorů, pamětí a logických čipů.