| Nový vědecký výsledek v oblasti magnetických pamětí 
Tým vědců z laboratoře Hitachi Cambridge, Fyzikálního ústavu AV ČR a univerzit v Cambridgi a Nottinghamu oznámil, že se podařilo poprvé demonstrovat nový efekt nazvaný CBAMR (Coulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance, anizotropní magnetorezistence v režimu Coulombovské blokády). Aktivní část mikročipu, ve kterém byl jev pozorován, je zhotovena z feromagnetického polovodiče a má rozměry jen několika desítek nanometrů. Díky efektu CBAMR funguje tato součástka zároveň jako magnetická paměť a tranzistor. Jednoduchost a nepatrné rozměry tohoto přístroje, jeho funkčnost spojující doposud oddělené oblasti mikroelektroniky a velikost efektu mohou mít veliký potenciál pro technologie magnetických senzorů, pamětí a logických čipů. |
